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產(chǎn)品分類

Product Categories
中低壓功率MOS管 FIR100N03DFNG DFN5X6-8L
中低壓功率MOS管 FIR100N03DFNG DFN5X6-8L
產(chǎn)品品牌:美國福斯特
產(chǎn)品類型:中低壓功率MOS管
產(chǎn)品型號:FIR100N03DFNG
產(chǎn)品封裝:DFN5X6-8L
產(chǎn)品標題:30VN溝道MOSFET 福斯特絕緣柵場效應管 FIR100N03DFNG DFN5X6-8L
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


30VN溝道MOSFET 福斯特絕緣柵場效應管 FIR100N03DFNG DFN5X6-8L



FIR100N03DFNG的極限值:

參數(shù)符號數(shù)值單位
漏極-源極電壓VDSS30V
柵極-源極電壓VGS±20V
漏極電流-連續(xù)ID100A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃70.7
漏極電流-脈沖IDM300
功耗PD65W
工作結溫和存儲溫度范圍TJ,TSTG
-55~175




FIR100N03DFNG的電特性:

參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA3035
V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=30V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(th)
VDS=VGS,ID=250μA1.21.72.5V
靜態(tài)漏源導通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=20A
1.92.5
VGS=4.5V,ID=10A

2.9

3.5
正向跨導gfsVDS=10V,ID=20A32

S
輸入電容CissVDS=15V,VGS=0V,F=1.0MHz

5000
pF
輸出電容Coss
1135
反向傳輸電容Crss
563
開啟延遲時間td(on)VDD=15V,RL=15Ω VGS=10V,RG=2.5Ω

26
nS
開啟上升時間tr
24
關斷延遲時間td(off)
91
開啟下降時間tf
39
柵源電荷密度QgsVDS=15V,ID=20A,VGS=10V

9
nC
柵漏電和密度Qgd
13



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