絕緣柵型場效應(yīng)管 150V/12A中低壓功率MOSFET FIR12N15LG TO-252
FIR12N15LG的極限值：
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 150 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
| 漏極電流-連續(xù) | ID | 12 | A |
| 漏極電流-脈沖 | IDM | 50 | A |
| 功耗 | PD | 55 | W |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
FIR12N15LG的電特性：
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 150 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=150V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.5 | 2 | 2.5 | V |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 130 | 160 | mΩ | |
| 正向跨導(dǎo) | gfs | VDS=15V,ID=10A | 15 | S | ||
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 900 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 115 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 70 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=75V,ID=1A,RL=75Ω VGS=10V,RG=6Ω | 8 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 10 | ||||
| 關(guān)斷延遲時間 | td(off) | 20 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 15 | ||||
| 柵源電荷密度 | Qgs | VDS=75V,ID=1.5A,VGS=10V | 5.5 | nC | ||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 7 |
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