插件N溝道增強(qiáng)型MOS管 500V/20A絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 FIR20N50FG-M TO-220F
FIR20N50FG-M的極限值：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 | |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 500 | V | |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V | |
| 漏極電流-連續(xù) | TC=25℃ | ID | 20.0 | A |
| TC=100℃ | 12.6 | |||
| 漏極電流-脈沖 | IDM | 80.0 | ||
| 功耗 | PD | 72 | W | |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 1596 | mJ | |
| 工作溫度范圍 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | Tstg | -55~+150 | ||
FIR20N50FG-M的電特性：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | 25℃,VGS=0V,ID=250μA | 500 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | 25℃,VDS=500V,VGS=0V | 1.0 | μA | ||
| 125℃,VDS=400V,VGS=0V | 10 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開(kāi)啟電壓 | VGS(TH) | VGS=VDS,ID=250μA | 2.0 | 4.0 | V | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=10.0A | 0.20 | 0.27 | Ω | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz | 2687.7 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 355 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 10.3 | ||||
| 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=250V,ID=20.0A,RG=25Ω | 27.2 | ns | ||
| 開(kāi)啟上升時(shí)間 | tr | 47.5 | ||||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 78.7 | ||||
| 開(kāi)啟下降時(shí)間 | tf | 41.1 | ||||
| 柵源電荷密度 | Qgs | VDS=400V,ID=20.0A,VGS=10V | 14.28 | nC | ||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 16.95 |
FIR20N50FG-M的封裝外形尺寸：
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