FIR14N50FG TO-220F N溝道功率MOSFET 500V/13A高壓MOS管
FIR14N50FG的引腳圖：
FIR14N50FG的極限值：
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| VDSS | 漏極-源極電壓 | 500 | V | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | Tc=25℃ | 13 | A |
| Tc=100℃ | 8.5 | |||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 50 | ||
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | V | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 900 | mJ | |
| IAR | 雪崩電流 | 12.7 | A | |
| PD | 功耗 | 150 | W | |
| Tj | 最大工作結(jié)溫 | 150 | ℃ | |
| Tstg | 存儲溫度 | -55~150 | ||
| TL | 最大焊接溫度 | 300 | ||
FIR14N50FG的電特性：
| 符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | ID=250μA,VGS=0V | 500 | V | ||
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | VDS=500V,VGS=0V,Ta=25℃ | 1 | μA | ||
| VDS=400V,VGS=0V,Tj=125℃ | 100 | |||||
| VGS(TH) | 柵極開啟電壓 | ID=250μA,VDS=VGS | 2 | 3 | 4 | V |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 | ID=6.5A,VGS=10V | 0.4 | 0.5 | Ω | |
| Ciss | 輸入電容 | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz | 2000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 190 | ||||
| Crss | 反向傳輸電容 | 10 | ||||
| td(on) | 開啟延遲時間 | ID=13A VDD=250V VGS=10V RG=6.1Ω | 20 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 50 | ||||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 70 | ||||
| tf | 開啟下降時間 | 45 | ||||
| Qgs | 柵源電荷密度 | ID=13A VDD=400V VGS=10V | 15 | nC | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 45 |
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