FIR8N80FG-Y TO-220F 塑封插件MOSFET Y版N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管
FIR8N80FG-Y的極限值：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 | |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 800 | V | |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V | |
| 漏極電流-連續(xù) | TC=25℃ | ID | 7.0 | A |
| TC=100℃ | 4.4 | |||
| 漏極電流-脈沖 | IDM | 28 | ||
| 功耗 | PD | 35 | W | |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 550 | mJ | |
| 工作溫度范圍 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | Tstg | -55~+150 | ||
FIR8N80FG-Y的熱阻：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
| 結(jié)到管殼的熱阻 | RθJC | 3.57 | ℃/W |
| 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | RθJA | 120 |
FIR8N80FG-Y的電特性：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | 25℃,VGS=0V,ID=250μA | 800 | V | ||
| 125℃,VGS=0V,ID=250μA | 800 | |||||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | 25℃,VDS=800V,VGS=0V | 10 | uA | ||
| 125℃,VDS=800V,VGS=0V | 50 | |||||
| 150℃,VDS=800V,VGS=0V | 100 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開(kāi)啟電壓 | VGS(TH) | VGS=VDS,ID=250μA | 2.5 | 4.5 | V | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=3.5A | 1.55 | 1.9 | Ω | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz | 1500 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 122 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 16.7 | ||||
| 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=400V,RG=25Ω,ID=7.0A | 33.67 | ns | ||
| 開(kāi)啟上升時(shí)間 | tr | 71.67 | ||||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 63.33 | ||||
| 開(kāi)啟下降時(shí)間 | tf | 35.33 | ||||
| 柵源電荷密度 | Qgs | VDS=640V,ID=7.0A,VGS=10V | 6.98 | nC | ||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 8.97 |
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
