FIR7N65FG-Y TO-220F 塑封插件場(chǎng)效應(yīng)管 Y版增強(qiáng)型功率MOSFET
FIR7N65FG-Y的極限值：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 | |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 650 | V | |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V | |
| 漏極電流-連續(xù) | TC=25℃ | ID | 7.0 | A |
| TC=100℃ | 4.4 | |||
| 漏極電流-脈沖 | IDM | 28 | ||
| 功耗 | PD | 35 | W | |
| 雪崩能量 | EAS | 350 | mJ | |
| 工作溫度范圍 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | Tstg | -55~+150 | ||
FIR7N65FG-Y的熱阻：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 3.57 | ℃/W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 120 |
FIR7N65FG-Y的電特性：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | 25℃,VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | 25℃,VDS=650V,VGS=0V | 1 | uA | ||
| 125℃,VDS=520V,VGS=0V | 10 | |||||
| 150℃,VDS=520V,VGS=0V | 100 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VGS=VDS,ID=250μA | 2.0 | 4.0 | V | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=2A | 1.25 | 1.5 | Ω | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz | 1130 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 93 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 5.5 | ||||
| 開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=325V,ID=4.0A,RG=10Ω | 19 | ns | ||
| 開啟上升時(shí)間 | tr | 21 | ||||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 42 | ||||
| 開啟下降時(shí)間 | tf | 19 | ||||
| 柵源電荷密度 | Qgs | VDS=520V,ID=4.0A,VGS=10V | 5.1 | nC | ||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 9.5 |
FIR7N65FG-Y的封裝外形尺寸：
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