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產(chǎn)品分類

Product Categories
高壓功率MOS管 FIR6N60BPG-M TO-251
高壓功率MOS管 FIR6N60BPG-M TO-251
產(chǎn)品品牌:美國福斯特
產(chǎn)品類型:高壓功率MOS管
產(chǎn)品型號(hào):FIR6N60BPG-M
產(chǎn)品封裝:TO-251
產(chǎn)品標(biāo)題:FIR6N60BPG-M TO-251 N溝道功率MOSFET 6A/600V高壓場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


FIR6N60BPG-M TO-251 N溝道功率MOSFET 6A/600V高壓場效應(yīng)管



FIR6N60BPG-M的產(chǎn)品應(yīng)用:

  • 適配器和充電器的電源開關(guān)電路



FIR6N60BPG-M的極限值:

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDSS漏極-源極電壓600V
ID
漏極電流-連續(xù)6A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃3.6
IDMa1漏極電流-脈沖20A
VGS
柵極-源極電壓±30V
EASa2單脈沖雪崩能量320mJ
EARa1重復(fù)雪崩能量31
IARa1雪崩電流8.0A
PD
功耗85W
TJ,Tstg工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍150,-55~+150
TL最大焊接溫度300




FIR6N60BPG-M的電特性:

符號(hào)參數(shù)測試條件最小值典型值最大值單位
VDSS
漏極-源極擊穿電壓VGS=0V,ID=250μA600

V
IDSS零柵壓漏極電流VDS=600V,VGS=0V

1μA
RDS(ON)
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻VGS=10V,ID=3A
1.41.6Ω
VGS(TH)柵極開啟電壓VDS=VGS,ID=250μA2.03.14.0V
gfs
正向跨導(dǎo)VDS=15V,ID=3A
5.0
S
Ciss輸入電容VGS=0V VDS=25V f=1.0MHz

510
pF
Coss輸出電容
65
Crss反向傳輸電容
17
td(on)開啟延遲時(shí)間ID=6A VDD=250V RG=25Ω

17
ns
tr開啟上升時(shí)間
50
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
50
tf開啟下降時(shí)間
48
Qgs柵源電荷密度ID=6A VDD=400V VGS=10V

2.6
nC
Qgd柵漏電和密度
12


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