福斯特場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格 FIR4N60FG-D TO-220F 600V/4A高壓MOSFET
FIR4N60FG-D的極限值：
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| VDSS | 漏極-源極電壓 | 600 | V | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | Tj=25℃ | 4 | A |
| Tj=100℃ | 2.5 | |||
| VGS [±V] | 柵極-源極電壓 | ±30 | V | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 128 | mJ | |
| IAR | 雪崩電流 | 4 | A | |
| PD | 功耗 | 36 | W | |
| Tj | 最大工作結(jié)溫 | 150 | ℃ | |
| Tstg | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+150 | ||
| TL | 最大焊接溫度 | 300 | ||
FIR4N60FG-D的電特性：
| 符號(hào) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | ID=250μA,VGS=0 | 600 | V | ||
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | VDS=600V,VGS=0V | 10 | μA | ||
| VDS=480V,Tj=125℃ | 100 | |||||
| VGS(TH) | 柵極開啟電壓 | ID=250μA,VGS=VGS | 2 | 4 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | ID=2A,VGS=10V | 2.3 | Ω | ||
| Ciss | 輸入電容 | VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz | 620 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 70 | ||||
| Crss | 反向電容 | 8 | ||||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | VDD=300V,ID=4A RG=25Ω | 13 | 35 | ns | |
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 45 | 100 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 20 | 60 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 35 | 80 | |||
| Qgs | 柵源電荷密度 | VDS=480V,VGS=10V,ID=4A | 3.4 | nC | ||
| Qgd | 柵漏電和密度 | 7.1 |
FIR4N60FG-D的封裝外形尺寸：
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