FIR2N80FG-T TO-220F 插件MOSFET 800V高壓N溝道場效應(yīng)管
FIR2N80FG-T的極限值：
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| VDSS | 漏極-源極電壓 | 800 | V | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | Tj=25℃ | 2.0 | A |
| Tj=100℃ | 1.25 | |||
| VGS[±V] | 柵極-源極電壓 | ±30 | V | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 180 | mJ | |
| IAR | 雪崩電流 | 2.0 | A | |
| PD | 功耗(Tj=25℃) | 35 | W | |
| Tj | 最大工作結(jié)溫 | 150 | ℃ | |
| Tstg | 存儲溫度 | -55~+150 | ||
| TL | 最大焊接溫度 | 300 | ||
FIR2N80FG-T的熱阻：
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 3.57 | ℃/W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 120 |
FIR2N80FG-T的電特性：
| 符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | ID=250μA,VGS=0 | 800 | V | ||
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | VDS=800V,VGS=0V | 10 | μA | ||
| VDS=640V,Tj=125℃ | 100 | |||||
| VGS(TH) | 柵極開啟電壓 | ID=250μA,VDS=VGS | 3 | 5 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | ID=1A,VGS=10V | 6.3 | Ω | ||
| Ciss | 輸入電容 | VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz | 589 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 45 | ||||
| Crss | 反向傳輸電容 | 5.5 | ||||
| td(on) | 開啟延遲時間 | VDD=400V,ID=2A,RG=25Ω | 12 | 35 | ns | |
| tr | 開啟上升時間 | 30 | 70 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 25 | 60 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 28 | 65 | |||
| Qgs | 柵源電荷密度 | VDS=640V,VGS=10V,ID=2A | 2.6 | nC | ||
| Qgd | 柵漏電和密度 | 6.0 |
FIR2N80FG-T的封裝外形尺寸：
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
