100VNMOS管 80N10 PDFN5X6-8L 貼片場效應(yīng)管系列 國產(chǎn)替代MOS管 80N10
100VNMOS管 80N10的主要參數(shù)：
VDS=100V
ID=80A
RDS(ON)＜8.5mΩ@VGS=10V(Type：6.8mΩ)
封裝：PDFN5X6-8L
100VNMOS管 80N10的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 80 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 46 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 296 | |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 78 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 220 | mJ |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
100VNMOS管 80N10的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 6.8 | 8.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 8 | 12 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 36 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1959 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 731 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 3 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10.7 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 21 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 31 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 10.7 |
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