國(guó)產(chǎn)中低壓MOS管 120N12 TO-252 貼片MOSFET 低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管
國(guó)產(chǎn)中低壓MOS管 120N12的主要參數(shù)：
VDS=120V
ID=120A
RDS(ON)＜6.8mΩ@VGS=10V(Type：5.8mΩ)
封裝：TO-252
國(guó)產(chǎn)中低壓MOS管 120N12的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：120V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：120A
漏極電流-脈沖 IDM：360A
單脈沖雪崩能量 EAS：125mJ
總耗散功率 PD：259.2W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：1.2℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：62.5℃/W
國(guó)產(chǎn)中低壓MOS管 120N12的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 120 | 135 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 5.8 | 7.5 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=120V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | μA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=120V,VGS=0V,TJ=100℃ | 100 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 43 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 13.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3370 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 471 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 11 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 14.3 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 12 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 33.5 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 8.6 |
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