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產(chǎn)品分類

Product Categories
貼片PMOS管 8P03 SOT223-3L
貼片PMOS管 8P03 SOT223-3L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:8P03
產(chǎn)品封裝:SOT223-3L
產(chǎn)品標(biāo)題:貼片PMOS管 8P03 SOT223-3L 低壓場效應(yīng)管 -30V/-8.2A 國產(chǎn)MOSFET選型8P03
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


貼片PMOS管 8P03 SOT223-3L 低壓場效應(yīng)管 -30V/-8.2A 國產(chǎn)MOSFET選型8P03



貼片PMOS管 8P03的主要參數(shù):

  • VDS=-30V

  • ID=-8.2A

  • RDS(ON)<40mΩ@VGS=-10V(Type:33mΩ)



貼片PMOS管 8P03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-30V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:-8.2A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:-18.4A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:125mJ

  • 總耗散功率 PD:2.15W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:125℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:104℃/W



貼片PMOS管 8P03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-30-34
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-4.1A


3340
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-3A


4758
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.5-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
6.8
nC
Qgs柵源電荷密度

1.0


Qgd柵漏電荷密度
1.4
Ciss輸入電容
530
pF
Coss輸出電容
70
Crss反向傳輸電容
56
td(on)開啟延遲時間
14
ns
tr開啟上升時間

61


td(off)關(guān)斷延遲時間
19
tf
開啟下降時間
10


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