500VMOS管 20N50 TO-247 國產(chǎn)MOSFET 高壓場效應(yīng)管
500VMOS管 20N50的主要參數(shù)：
VDS=500V
ID=20V
RDS(ON)＜330mΩ@VGS=10V(Type：260mΩ)
封裝：TO-247
500VMOS管 20N50的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 500 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 20 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 72 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 662 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 18 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 34 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 3.68 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
500VMOS管 20N50的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 500 | 540 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=3A | 250 | 330 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 3 | 3.2 | 5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 38 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 13 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2219 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 321 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 6.6 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 34 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 46 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 89 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 41 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
