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N溝道MOS管 10N50 TO-220 高壓場效應管 500V/10A 國產MOSFET

N溝道MOS管 10N50的主要參數：

• V_DS=500V

• I_D=10A

• R_DS(ON)＜680mΩ@V_GS=10V(Type：600mΩ)

• 封裝：TO-220

N溝道MOS管 10N50的應用領域：

• UPC

• PFC
  

N溝道MOS管 10N50的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：500V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±30V

• 漏極電流-連續(xù) I_D ：10A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：36A

• 總耗散功率 P_D (T_C=25℃)：178W

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：347mJ

• 結到環(huán)境的熱阻 R_θJA：62.5℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：0.7℃/W

• 存儲溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

N溝道MOS管 10N50的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)