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產(chǎn)品分類(lèi)

Product Categories
250VN溝道MOS管 30N25 TO-252
250VN溝道MOS管 30N25 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類(lèi)型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):30N25
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:250VN溝道MOS管 30N25 TO-252 電源用場(chǎng)效應(yīng)管 國(guó)產(chǎn)MOSFET
咨詢(xún)熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


250VN溝道MOS管 30N25 TO-252 電源用場(chǎng)效應(yīng)管 國(guó)產(chǎn)MOSFET



250VN溝道MOS管 30N25的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓250
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù) TC=25℃30A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃18
IDM漏極電流-脈沖90
EAS單脈沖雪崩能量180mJ
PD總耗散功率 TC=25℃125W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62.5℃/W
RθJC
結(jié)到管殼的熱阻1.12
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



250VN溝道MOS管 30N25的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓250

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=20A


85100
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓2.53.54.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
33
nC
Qgs柵源電荷密度

11.5


Qgd柵漏電荷密度
7.7
Ciss輸入電容
2383
pF
Coss輸出電容
11
Crss反向傳輸電容
69
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
20.6
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間

4


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
31.4
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
3.4


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