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產(chǎn)品分類

Product Categories
100VNMOS管 140N10 TO-252
100VNMOS管 140N10 TO-252
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：140N10
產(chǎn)品封裝：TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題：100VNMOS管 140N10 TO-252 LED用MOSFET 國產(chǎn)場效應(yīng)管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


100VNMOS管 140N10 TO-252 LED用MOSFET 國產(chǎn)場效應(yīng)管



100VNMOS管 140N10的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：100V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID (TC=25℃)：140A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：417A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：245mJ

  • 雪崩電流 IAS：42A

  • 總耗散功率 PD (TC=25℃)：167W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：0.88℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：62℃/W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃



100VNMOS管 140N10的電特性：

(如無特殊說明，TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=20A


4.55.5mΩ
VGS(th)
柵極開啟電壓22.94V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
42
nC
Qgs柵源電荷密度

9.7


Qgd柵漏電荷密度
10.6
Ciss輸入電容
2816
pF
Coss輸出電容
614
Crss反向傳輸電容
7.4
td(on)開啟延遲時間
12
ns
tr開啟上升時間

25


td(off)關(guān)斷延遲時間
43
tf
開啟下降時間
37


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