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產(chǎn)品分類

Product Categories
貼片MOS管 60N10 PDFN3X3-8L
貼片MOS管 60N10 PDFN3X3-8L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:60N10
產(chǎn)品封裝:PDFN3X3-8L
產(chǎn)品標題:貼片MOS管 60N10 PDFN3X3-8L NMOS管系列選型 國產(chǎn)100VMOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


貼片MOS管 60N10 PDFN3X3-8L NMOS管系列選型 國產(chǎn)100VMOS管



貼片MOS管 60N10的引腳圖:

image.png



貼片MOS管 60N10的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)60A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)35
IDM漏極電流-脈沖252
PD總耗散功率(TC=25℃)83W
EAS單脈沖雪崩能量286mJ
RθJA
結到環(huán)境的熱阻1.5℃/W
RθJC結到管殼的熱阻85
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



貼片MOS管 60N10的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


1013
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=6A


1215
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
21
nC
Qgs柵源電荷密度

5.4
Qgd柵漏電荷密度
5.5
Ciss輸入電容
1372
pF
Coss輸出電容
291
Crss反向傳輸電容
2
td(on)開啟延遲時間
10.7
ns
tr開啟上升時間

20


td(off)關斷延遲時間
25
tf
開啟下降時間
19.5


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