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產(chǎn)品分類

Product Categories
插件NMOS管 80N06 TO-220F
插件NMOS管 80N06 TO-220F
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:80N06
產(chǎn)品封裝:TO-220F
產(chǎn)品標題:插件NMOS管 80N06 TO-220F 塑封60V場效應(yīng)管 電池保護用MOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


插件NMOS管 80N06 TO-220F 塑封60V場效應(yīng)管 電池保護用MOS管



插件NMOS管 80N06的引腳圖:

image.png



插件NMOS管 80N06的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓65V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TA=25℃)80A
漏極電流-連續(xù)(TA=70℃)41
IDM漏極電流-脈沖240
EAS單脈沖雪崩能量130mJ
PD總耗散功率 TA=25℃33.1W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150
RθJC結(jié)到管殼的熱阻2.1℃/W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62.5



電池保護用MOS管 80N06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6572
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


6.58
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


912
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.72.5V
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
21.7
nC
Qgs柵源電荷密度

3.9
Qgd柵漏電荷密度
4.5
Ciss輸入電容
1210
pF
Coss輸出電容
343
Crss反向傳輸電容
17
td(on)開啟延遲時間
7.3
ns
tr開啟上升時間
8.5
td(off)關(guān)斷延遲時間
19.6
tf
開啟下降時間
5.6


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