FIR2N65ABPG TO-251 N溝道功率MOSFET 650V/2A場效應管
N溝道功率MOSFET FIR2N65ABPG的引腳圖：
N溝道功率MOSFET FIR2N65ABPG的極限值：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 650 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 2 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 8 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 84 | mJ |
| IAR | 雪崩電流 | 3.6 | A |
| EAR | 重復雪崩能量 | 6.4 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 54 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
N溝道功率MOSFET FIR2N65ABPG的電特性：
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=1A | 4.2 | 5 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 8.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 280 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 30 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 3.8 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 5.5 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 33 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 16 |
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