中低壓NMOS管80N25 TO-220 插件MOSFET 250V/80A 國(guó)產(chǎn)MOS場(chǎng)效應(yīng)管
中低壓NMOS管80N25的主要參數(shù)：
電壓 VDS：250V
電流 ID：80A
內(nèi)阻 RDS(ON)：20mΩ@VGS=10V(Type：18mΩ)
中低壓NMOS管80N25的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 250 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 80 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 330 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 2000 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 45 | A |
| PD | 總耗散功率 | 278 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 40 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.5 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
中低壓NMOS管80N25的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，Tc=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 250 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 18 | 20 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2 | 3.5 | 4.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 136 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 52 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 25 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 10602 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 8.1 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 270 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 54.5 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 24.2 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 73.6 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 15.6 |
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