快充用N+NMOS管 10H03 SOT23-6 貼片式國產(chǎn)MOS管 30VMOSFET型號
快充用N+NMOS管 10H03的主要參數(shù)：
VDS=30V
ID=10A
RDS(ON)＜24mΩ@VGS=10V(Type：18mΩ)
RDS(ON)＜28mΩ@VGS=4.5V(Type：22mΩ)
快充用N+NMOS管 10H03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 10 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TA=70℃) | 6.9 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 30 | |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 85 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
快充用N+NMOS管 10H03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5A | 18 | 24 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 22 | 28 | |||
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=1A | 36 | 45 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.9 | 1.2 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 530 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 130 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 36 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 47 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 26 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 8 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
