30VN+N溝道MOS管 6H03 SOT23-6 雙N溝道MOSFET 30V低壓場效應管
30VN+N溝道MOS管 6H03的主要參數(shù)：
VDS=30V
ID=6.2A
RDS(ON)＜35mΩ@VGS=10V(Type：27mΩ)
RDS(ON)＜38mΩ@VGS=4.5V(Type：29mΩ)
30VN+N溝道MOS管 6H03的應用領域：
電池保護
負載開關
UPS 不間斷電源
30VN+N溝道MOS管 6H03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 6.2 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TA=70℃) | 3.1 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 16 | |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1 | W |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 80 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
30VN+N溝道MOS管 6H03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=4A | 27 | 35 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 29 | 38 | |||
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=2.5V,ID=3A | 36 | 54 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.85 | 1.3 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 9.1 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 507 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 52 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 43 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 3 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 2.8 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 25 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 4 |
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