美女自拍偷拍亚洲一区,在线播放亚洲丝袜美腿,青青草在线激情免费视频,黄色在线观看网站免费播放,亚洲婷婷一区二区三区,龙口护士门91午夜国产在线,一区二区三区四区五区人妻,97人人碰在线免费视频,久久人妻公开中文字幕免费

宇芯電子可控硅一站式解決方案提供商專注單向可控硅,雙向可控硅,國(guó)產(chǎn)可控硅,高壓可控硅,達(dá)林頓芯片等半導(dǎo)體器件的應(yīng)用服務(wù)。
當(dāng)前位置： 首頁(yè) ? 產(chǎn)品中心 ? 宇芯微產(chǎn)品 ? MOS管 ? 中低壓MOS管 ? 低內(nèi)阻MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N20 TO-220

產(chǎn)品分類

Product Categories
低內(nèi)阻MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N20 TO-220
低內(nèi)阻MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N20 TO-220
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：100N20
產(chǎn)品封裝：TO-220
產(chǎn)品標(biāo)題：低內(nèi)阻MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N20 TO-220 插件MOSFET 200VMOS管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


低內(nèi)阻MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N20 TO-220 插件MOSFET 200VMOS管



低內(nèi)阻MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N20的極限參數(shù)：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：200V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID (TC=25℃)：100A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：550A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：2000mJ

  • 雪崩電流 IAS：45A

  • 總耗散功率 PD (TC=25℃)：278W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：0.45℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：62.5℃/W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃



低內(nèi)阻MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N20的電特性：

(如無特殊說明，TC=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓200

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=20A


911mΩ
VGS(th)
柵極開啟電壓23.54.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
145
nC
Qgs柵源電荷密度

49


Qgd柵漏電荷密度
72
Ciss輸入電容
10656
pF
Coss輸出電容
389
Crss反向傳輸電容
16
td(on)開啟延遲時(shí)間
22
ns
tr開啟上升時(shí)間

115


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
44
tf
開啟下降時(shí)間
105


產(chǎn)品推薦

Product recommendations
*本站相關(guān)網(wǎng)頁(yè)素材及相關(guān)資源均來源互聯(lián)網(wǎng)，如有侵權(quán)請(qǐng)速告知，我們將會(huì)在24小時(shí)內(nèi)刪除*
技術(shù)支持：東莞網(wǎng)站建設(shè)