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產(chǎn)品分類

Product Categories
N溝道MOS管 100N20 TO-220F
N溝道MOS管 100N20 TO-220F
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:100N20
產(chǎn)品封裝:TO-220F
產(chǎn)品標(biāo)題:N溝道MOS管 100N20 TO-220F 塑封場效應(yīng)管 200VMOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


N溝道MOS管 100N20 TO-220F 塑封場效應(yīng)管 200VMOS管



N溝道MOS管 100N20的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • DC/DC 變換

  • 電源管理轉(zhuǎn)換開關(guān)

  • BMS/UPS



N溝道MOS管 100N20的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓200V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)100A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)75
IDM漏極電流-脈沖550
EAS單脈沖雪崩能量2000mJ
IAS雪崩電流45A
PD總耗散功率 TC=25℃278W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150
RθJC結(jié)到管殼的熱阻62.5℃/W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻0.45



N溝道MOS管 100N20的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓200

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=20A


911
VGS(th)
柵極開啟電壓23.54.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
145
nC
Qgs柵源電荷密度

49


Qgd柵漏電荷密度
72
Ciss輸入電容
10656
pF
Coss輸出電容
389
Crss反向傳輸電容
16
td(on)開啟延遲時間
22
ns
tr開啟上升時間

115


td(off)關(guān)斷延遲時間
44
tf
開啟下降時間
105


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