國產(chǎn)替換MOS管 15P15 TO-252 電源場效應(yīng)管 150VPMOS管
國產(chǎn)替換MOS管 15P15的主要參數(shù)：
電壓VDS：-150V
電流ID：-15A
內(nèi)阻RDS(ON)＜320mΩ@VGS=10V(Type：270mΩ)
國產(chǎn)替換MOS管 15P15的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -150 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | -15 | A |
漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | -7.2 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -45 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 102 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 10 | A |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 52 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.9 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
國產(chǎn)替換MOS管 15P15的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -150 | -175 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-3A | 270 | 320 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-6V,ID=-2A | 300 | 500 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -2 | -3 | -4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 880 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 50 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 35 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 9 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 23 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 8 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
