大電流MOS管200N06 PDFN5X6-8L貼片NMOSFET國產(chǎn)中低壓場效應(yīng)管200N06
大電流MOS管200N06的主要參數(shù)：
VDS=65V
ID=200A
RDS(ON)＜1.3mΩ@VGS=10V(Type：1mΩ)
大電流MOS管200N06的應(yīng)用：
電池保護
UPS
大電流MOS管200N06的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 65 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 200 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 158 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 1340 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 580 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 47 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 231 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.65 | ℃/W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 55 |
大電流MOS管200N06的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 65 | 72 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID20A | 1 | 1.3 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=60V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | μA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=60V,VGS=0V,TJ=100℃ | 100 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 102 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 25 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 15.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 7312 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 2239 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 53 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 24 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 71 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 129 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 92 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
