電源管理MOS管 140N15 PDFN5X6-8L 150V中低壓MOS 小封裝MOSFET
電源管理MOS管 140N15的主要參數(shù)：
VDS=150V
ID=140A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=10V(Type：7.4mΩ)
電源管理MOS管 140N15的應(yīng)用領(lǐng)域：
DC/DC 轉(zhuǎn)換
電源管理轉(zhuǎn)換
電源管理MOS管 140N15的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：150V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID (TC=25℃)：140A
漏極電流-脈沖 IDM：520A
單脈沖雪崩能量 EAS：506mJ
雪崩電流 IAS：65A
總耗散功率 PD (TC=25℃)：179W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：25℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：0.75℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
電源管理MOS管 140N15的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 150 | 172 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 7.4 | 9 | mΩ | |
| VGS | 柵極開啟電壓 | 2 | 3.2 | 4.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2181 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 363 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 7.9 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 12.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 24 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 30 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 26 |
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