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產(chǎn)品分類

Product Categories
-55V雙PMOS管 4V05 SOP-8
-55V雙PMOS管 4V05 SOP-8
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:4V05
產(chǎn)品封裝:SOP-8
產(chǎn)品標題:-55V雙PMOS管 4V05 SOP-8 低壓通用MOSFET MOS管選型 -55V/-4.8A
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


-55V雙PMOS管 4V05 SOP-8 低壓通用MOSFET MOS管選型 -55V/-4.8A



-55V雙PMOS管 4V05的引腳圖:

image.png



-55V雙PMOS管 4V05的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guān)

  • UPS 不間斷電源



-55V雙PMOS管 4V05的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-55V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID (TA=25℃):-4.8A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:-16A

  • 總耗散功率 PD (TA=25℃):1W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:85℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:80℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃



-55V雙PMOS管 4V05的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-50-55
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-1.5A


108125
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-1A


125155
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
4.6
nC
Qgs柵源電荷密度

1.4


Qgd柵漏電荷密度
1.62
Ciss輸入電容
531
pF
Coss輸出電容
59
Crss反向傳輸電容
38
td(on)開啟延遲時間
17.4
ns
tr開啟上升時間

5.4


td(off)關(guān)斷延遲時間
37.2
tf
開啟下降時間
2.4


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