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產(chǎn)品分類

Product Categories
-30V雙P溝道MOS管 30V03 PDFN3X3-8L
-30V雙P溝道MOS管 30V03 PDFN3X3-8L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:30V03
產(chǎn)品封裝:PDFN3X3-8L
產(chǎn)品標(biāo)題:-30V雙P溝道MOS管 30V03 PDFN3X3-8L 貼片常用MOS 鋰電池用低壓MOSFET
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


-30V雙P溝道MOS管 30V03 PDFN3X3-8L 貼片常用MOS 鋰電池用低壓MOSFET



-30V雙P溝道MOS管 30V03的主要參數(shù):

  • VDS=-30V

  • ID=-30A

  • RDS(ON)<20mΩ@VGS=-10V(Type:16mΩ)



-30V雙P溝道MOS管 30V03的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 鋰電池保護(hù)板

  • 手機(jī)快充



-30V雙P溝道MOS管 30V03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)-35A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)-22
IDM漏極電流-脈沖-70
EAS單脈沖雪崩能量72.2mJ
IAS雪崩電流-38A
PD總耗散功率(TC=25℃)34.7W
RθJA
結(jié)到環(huán)境的熱阻62.5℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻3.6
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



-30V雙P溝道MOS管 30V03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-30-33
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-10A


1620
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-5A


2530
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.5-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
30
nC
Qgs柵源電荷密度

5.3


Qgd柵漏電荷密度
7.6
Ciss輸入電容
1550
pF
Coss輸出電容
327
Crss反向傳輸電容
278
td(on)開啟延遲時(shí)間
14
ns
tr開啟上升時(shí)間

20


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
95
tf
開啟下降時(shí)間
65


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