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產(chǎn)品分類

Product Categories
低壓P+P溝道MOS管 30V02 PDFN3X3-8L
低壓P+P溝道MOS管 30V02 PDFN3X3-8L
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：30V02
產(chǎn)品封裝：PDFN3X3-8L
產(chǎn)品標(biāo)題：低壓P+P溝道MOS管 30V02 PDFN3X3-8L 小內(nèi)阻雙PMOS 手機(jī)快充MOSFET
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


低壓P+P溝道MOS管 30V02 PDFN3X3-8L 小內(nèi)阻雙PMOS 手機(jī)快充MOSFET



低壓P+P溝道MOS管 30V02的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 鋰電池保護(hù)板

  • 手機(jī)快充



低壓P+P溝道MOS管 30V02的引腳圖：

image.png



低壓P+P溝道MOS管 30V02的極限值：

(如無特殊說明，TA=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：-20V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±12V

  • 漏極電流-連續(xù) ID (TA=25℃)：-30A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：-90A

  • 總耗散功率 PD (TA=25℃)：1.5W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：12℃/W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃



低壓P+P溝道MOS管 30V02的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-20-23
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-20A


12.516mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-2.5V,ID=-10A


16.528
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.5-0.6-1.2V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
15.3
nC
Qgs柵源電荷密度

2.2


Qgd柵漏電荷密度
4.4
Ciss輸入電容
2000
pF
Coss輸出電容
242
Crss反向傳輸電容
231
td(on)開啟延遲時間
10
ns
tr開啟上升時間

31


td(off)關(guān)斷延遲時間
28
tf
開啟下降時間
8


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