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產(chǎn)品分類

Product Categories
貼片P溝道MOS管 120P06 TO-263
貼片P溝道MOS管 120P06 TO-263
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:120P06
產(chǎn)品封裝:TO-263
產(chǎn)品標(biāo)題:貼片P溝道MOS管 120P06 TO-263 充電器用MOSFET 低壓場效應(yīng)管應(yīng)用
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


貼片P溝道MOS管 120P06 TO-263 充電器用MOSFET 低壓場效應(yīng)管應(yīng)用



貼片P溝道MOS管 120P06的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 鋰電池保護

  • 手機快充



貼片P溝道MOS管 120P06的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-60V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)-120A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)-70
IDM漏極電流-脈沖-360
EAS單脈沖雪崩能量800mJ
IAS雪崩電流51A
PD總耗散功率(TC=25℃)110W
RθJA
結(jié)到環(huán)境的熱阻1.1℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻60
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



貼片P溝道MOS管 120P06的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-60-68
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-20A


5.56.5
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-15A


7.510
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-2-3V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
112
nC
Qgs柵源電荷密度

22


Qgd柵漏電荷密度
18
Ciss輸入電容
7200
pF
Coss輸出電容
1200
Crss反向傳輸電容
50
td(on)開啟延遲時間
9
ns
tr開啟上升時間

5


td(off)關(guān)斷延遲時間
29
tf
開啟下降時間
7.6


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