150P03 TO-220 插件PMOSFET 家電用MOS管 大電流MOS場(chǎng)效應(yīng)管
插件PMOSFET 150P03的主要參數(shù)：
VDS=-30V
ID=-150A
RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=-10V(Type：3.8mΩ)
插件PMOSFET 150P03的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-150A
漏極電流-脈沖 IDM：-460A
單脈沖雪崩能量 EAS：225mJ
總耗散功率 PD：225W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.46℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~175℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~175℃
插件PMOSFET 150P03的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-30A | 3.8 | 5.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 5.8 | 8.2 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 42 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 8.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 11.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 9400 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1000 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 767 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 15 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 16 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 69 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 27 |
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