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快充用低壓PMOS管40P03 SOP-8 低內(nèi)阻PMOSFET 貼片MOS管選型

快充用低壓PMOS管40P03的主要參數(shù)：

• V_DS=-30V

• I_D=-40A

• R_DS(ON)＜4mΩ@V_GS=-10V(Type：3.2mΩ)

快充用低壓PMOS管40P03的繼續(xù)參數(shù)：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：-30V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：-40A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：-160A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：576mJ

• 總耗散功率 P_D：150W

• 存儲溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結(jié)溫 T_J：-55~150℃

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：85℃/W

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：1.06℃/W

快充用低壓PMOS管40P03的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)