30VPMOS管 30P03 TO-251 手機快充用MOSFET -30V/-30A 增強型低壓MOS管
30VPMOS管 30P03的主要參數(shù)：
VDS=-30V
ID=-30A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=-10V(Type：16mΩ)
30VPMOS管 30P03的應用領域：
鋰電保護
手機快充
30VPMOS管 30P03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -30 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | -22 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -70 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 72.2 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -38 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 34.7 | W |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 3.6 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
30VPMOS管 30P03的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-10A | 16 | 20 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 25 | 30 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1550 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 327 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 278 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 14 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 20 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 95 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 65 |
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