低壓PMOS管100P02 PDFN5X6-8L MOSFET選型 MOS管國產(chǎn)價格
低壓PMOS管100P02的主要參數(shù)：
VDS=-20V
ID=-100A
RDS(ON)＜-2.7mΩ@VGS=-10V(Type：2.1mΩ)
低壓PMOS管100P02的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源（UPS）
低壓PMOS管100P02的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -100 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -66 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -340 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 400 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -50 | A |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 52.1 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.8 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
低壓PMOS管100P02的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-30A | 2.1 | 2.7 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-20A | 2.7 | 3.8 | |||
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-1.8V,ID=-15A | 3.8 | 5.7 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -0.6 | -1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 100 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 21 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 32 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 15 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1600 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 1068 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 20 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 50 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 100 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 40 |
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