20VPMOSFET管30P02 PDFN3X3-8L 應(yīng)用于電源PMOS管 低壓國產(chǎn)MOS替代
20VPMOSFET管30P02的主要參數(shù)：
VDS=-20V
ID=-30A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=-4.5V(Type：16mΩ)
20VPMOSFET管30P02的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源（UPS）
20VPMOSFET管30P02的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -30 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=70℃) | -15 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -48 | |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 24 | W |
| 總耗散功率(TC=70℃) | 21.5 | ||
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 75 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 4.2 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
20VPMOSFET管30P02的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | -24 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 16 | 20 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-10A | 22 | 28 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.5 | -0.6 | -1.2 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 15.3 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.4 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 242 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 231 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 31 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 28 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 8 |
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