N+P低壓MOS管 4G02 SOT23-6L 20VMOS管替換 國產(chǎn)貼片MOSFET
N+P低壓MOS管 4G02的產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、N-CH：
VDS=20V
ID=4.5A
RDS(ON)＜35mΩ@VGS=4.5V(Type：28mΩ)
2、P-CH：
VDS=-20V
ID=-3.8A
RDS(ON)＜80mΩ@VGS=-4.5V(Type：55mΩ)
N+P低壓MOS管 4G02的應(yīng)用領(lǐng)域：
BLDC
N+P低壓MOS管 4G02的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | -20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 4.5 | -3.8 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TA=70℃) | 3 | -2.5 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 52 | -40 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 12 | 18 | mJ |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.5 | 1.5 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 105 | 105 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 50 | 50 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
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