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產(chǎn)品分類(lèi)

Product Categories
無(wú)線充電用N+NMOS管30H04 PDFN3X3-8L
無(wú)線充電用N+NMOS管30H04 PDFN3X3-8L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類(lèi)型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):30H04
產(chǎn)品封裝:PDFN3X3-8L
產(chǎn)品標(biāo)題:無(wú)線充電用N+NMOS管30H04 PDFN3X3-8L 貼片小封裝國(guó)產(chǎn)MOS管 40V/30A
咨詢(xún)熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


無(wú)線充電用N+NMOS管30H04 PDFN3X3-8L 貼片小封裝國(guó)產(chǎn)MOS管 40V/30A



無(wú)線充電用N+NMOS管30H04的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 無(wú)線充電

  • 無(wú)刷馬達(dá)



無(wú)線充電用N+NMOS管30H04的最大額定值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù) TA=25℃30A
漏極電流-連續(xù) TA=70℃21
IDM漏極電流-脈沖36
EAS單脈沖雪崩能量31mJ
IAS雪崩電流25A
PD總耗散功率 TA=25℃1.9W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62.5℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻8
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~+150
TJ工作結(jié)溫-55~+150



無(wú)線充電用N+NMOS管30H04的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4044
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=8A


1114
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=6A


1318
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓11.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
10.7
nC
Qgs柵源電荷密度

3.3


Qgd柵漏電荷密度
4.2
Ciss輸入電容
1314
pF
Coss輸出電容
120
Crss反向傳輸電容
88
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
8.6
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間

3.4


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
24.8

tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
2.2


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