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產(chǎn)品分類(lèi)

Product Categories
高壓N溝道MOS管2N100 SOT223-3L
高壓N溝道MOS管2N100 SOT223-3L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類(lèi)型:高壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):2N100
產(chǎn)品封裝:SOT223-3L
產(chǎn)品標(biāo)題:1000V/1.7A 高壓N溝道MOS管2N100 SOT223-3L 貼片小封裝MOS管 通用MOS
咨詢(xún)熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


1000V/1.7A 高壓N溝道MOS管2N100 SOT223-3L 貼片小封裝MOS管 通用MOS



高壓N溝道MOS管2N100的主要參數(shù):

  • VDS=1000V

  • ID=1.7A

  • RDS(ON)<9600mΩ@VGS=10V(Type:8000mΩ)



高壓N溝道MOS管2N100的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 不間斷電源 UPS

  • 功率因數(shù)校正 PFC



高壓N溝道MOS管2N100的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓1000
V
VGS柵極-源極電壓±30
ID漏極電流-連續(xù) TC=25℃1.7A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃0.8
IDM漏極電流-脈沖6
EAS單脈沖雪崩能量90mJ
IAR雪崩電流3A
EAR重復(fù)雪崩能量0.36mJ
PD總耗散功率36W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻100℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻3.47
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~+150
TJ工作結(jié)溫-55~+150



高壓N溝道MOS管2N100的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓10001100
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=4.5A


80009600
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓23.54V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
16
nC
Qgs柵源電荷密度

1.2


Qgd柵漏電荷密度
11.5
Ciss輸入電容
308
pF
Coss輸出電容
32
Crss反向傳輸電容
6.2
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
35
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間

12


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
85

tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
53


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