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產(chǎn)品分類

Product Categories
大封裝高壓NMOS管 9N90 TO-247
大封裝高壓NMOS管 9N90 TO-247
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:高壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):9N90
產(chǎn)品封裝:TO-247
產(chǎn)品標(biāo)題:大封裝高壓NMOS管 9N90 TO-247 電源用插件MOS 國(guó)產(chǎn)常用場(chǎng)效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


大封裝高壓NMOS管 9N90 TO-247 電源用插件MOS 國(guó)產(chǎn)常用場(chǎng)效應(yīng)管



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大封裝高壓NMOS管 9N90的主要參數(shù):

  • VDS=900V(Type:1000V)

  • ID=9A

  • RDS(ON)<1000mΩ@VGS=10V(Type:920mΩ)



大封裝高壓NMOS管 9N90的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • UPS 不間斷電源

  • PFC 功率因數(shù)校正



大封裝高壓NMOS管 9N90的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓900
V
VGS柵極-源極電壓±30
ID漏極電流-連續(xù) TC=25℃9A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃5.8
IDM漏極電流-脈沖36
EAS單脈沖雪崩能量576mJ
IAR雪崩電流9A
EAR重復(fù)雪崩能量53mJ
PD總耗散功率31.2W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻48℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻4
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~+150
TJ工作結(jié)溫-55~+150



大封裝高壓NMOS管 9N90的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓9001000
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=4.5A


9751200
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
80
nC
Qgs柵源電荷密度

12


Qgd柵漏電荷密度
38
Ciss輸入電容
2752
pF
Coss輸出電容
206
Crss反向傳輸電容
36
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
33
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間

57


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
270

tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
91


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