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產(chǎn)品分類

Product Categories
貼片CoolMOS管12N80 TO-263
貼片CoolMOS管12N80 TO-263
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：高壓MOS管
產(chǎn)品型號：12N80
產(chǎn)品封裝：TO-263
產(chǎn)品標題：貼片CoolMOS管12N80 TO-263 高壓CoolMOSFET MOS管應用領域
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


貼片CoolMOS管12N80 TO-263 高壓CoolMOSFET MOS管應用領域



貼片CoolMOS管12N80的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓800
V
VGS柵極-源極電壓±30
ID漏極電流-連續(xù)12A
IDM漏極電流-脈沖12
EAS單脈沖雪崩能量225mJ
PD總耗散功率 TC=25℃25.5W
RθJA結到環(huán)境的熱阻62.5℃/W
RθJC結到管殼的熱阻2
TSTG存儲溫度-55~+150℃
TJ工作結溫-55~+150



貼片CoolMOS管12N80的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓800

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=2.5A,TJ=25℃


800900mΩ
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=2.5A,TJ=150℃


20005000
VGS(th)
柵極開啟電壓2.53.54.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
10.7
nC
Qgs柵源電荷密度

2.7


Qgd柵漏電荷密度
4.97
Ciss輸入電容
541
pF
Coss輸出電容
31.6
Crss反向傳輸電容
1.33
td(on)開啟延遲時間
17.6
ns
tr開啟上升時間

22.4


td(off)關斷延遲時間
64.2

tf
開啟下降時間
28.2


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