高壓國(guó)產(chǎn)NMOS管150N60 TO-247 CoolMOSFET 600V國(guó)產(chǎn)MOS
高壓國(guó)產(chǎn)NMOS管150N60的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 600 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 48 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 150 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 550 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 500 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.25 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
高壓國(guó)產(chǎn)NMOS管150N60的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 600 | 680 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=23.5A,TJ=25℃ | 62 | 70 | mΩ | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 70 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 20 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 16 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3750 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 110 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 4 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 87 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 66 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 125 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 72 |
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