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產(chǎn)品分類

Product Categories
鐵封高壓MOS管16N50 TO-220
鐵封高壓MOS管16N50 TO-220
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:高壓MOS管
產(chǎn)品型號:16N50
產(chǎn)品封裝:TO-220
產(chǎn)品標(biāo)題:鐵封高壓MOS管16N50 TO-220 500V/16A 直插常用MOSFET N型MOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


鐵封高壓MOS管16N50 TO-220 500V/16A 直插常用MOSFET N型MOS管



鐵封高壓MOS管16N50的主要參數(shù):

  • VDS=500V

  • ID=16A

  • RDS(ON)<400mΩ@VGS=10V(Type:320mΩ)



鐵封高壓MOS管16N50的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓500
V
VGS柵極-源極電壓±30
ID

漏極電流-連續(xù)

16A
IDM漏極電流-脈沖58
EAS單脈沖雪崩能量452mJ
IAR雪崩電流14A
EAR重復(fù)雪崩能量60mJ
PD總耗散功率 TC=25℃32W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62.5℃/W
RθJC結(jié)到管殼熱阻4.12
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結(jié)溫-55~+150



鐵封高壓MOS管16N50的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓500550
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=6.5A,TJ=25℃


320400
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
23.5
nC
Qgs柵源電荷密度

6.9

Qgd柵漏電荷密度
7.4
Ciss輸入電容
1651
pF
Coss輸出電容
188
Crss反向傳輸電容
7
td(on)開啟延遲時間
31
ns
tr開啟上升時間

43


td(off)關(guān)斷延遲時間
106
tf
開啟下降時間
46


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