國產(chǎn)高壓MOS管 5N50 TO-263 MOSFET價格 N溝道MOS管應用
國產(chǎn)高壓MOS管 5N50的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 500 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 5 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 25 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 247 | mJ |
| IAR | 雪崩電流 | 5 | A |
| EAR | 重復雪崩能量 | 18 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 32.9 | W |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 13.3 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼熱阻 | 3.8 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
國產(chǎn)高壓MOS管 5N50的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 500 | 550 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=3.5A | 1.2 | 1.5 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 700 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 94 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 12 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 13 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 20 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 76 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 40 |
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