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產(chǎn)品分類

Product Categories
90N25 TO-247 200V/90A 電源管理MOSFET
90N25 TO-247 200V/90A 電源管理MOSFET
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):90N25
產(chǎn)品封裝:TO-247
產(chǎn)品標(biāo)題:90N25 TO-247 200V/90A 電源管理MOSFET 常用MOS場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道MOSFET
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


90N25 TO-247 200V/90A 電源管理MOSFET 常用MOS場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道MOSFET



電源管理MOSFET 90N25的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓250
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續(xù)

90A
IDM漏極電流-脈沖360
EAS單脈沖雪崩能量
2000mJ
IAR雪崩電流20A
EAR重復(fù)雪崩能量8mJ
PD總耗散功率 TC=25℃140W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻40℃/W
RθJC結(jié)到管殼熱阻0.89
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~+150
TJ工作結(jié)溫-55~+150



電源管理MOSFET 90N25的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓250285
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=40A


3035
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
376
nC
Qgs柵源電荷密度

33.8
Qgd柵漏電荷密度
177
Ciss輸入電容
5784
pF
Coss輸出電容
893
Crss反向傳輸電容
561
td(on)開啟延遲時(shí)間
55
ns
tr開啟上升時(shí)間

165


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
1050
tf
開啟下降時(shí)間
367


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