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產(chǎn)品分類

Product Categories
40N15 TO-220F中低壓塑封NMOS管
40N15 TO-220F中低壓塑封NMOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:40N15
產(chǎn)品封裝:TO-220F
產(chǎn)品標題:40N15 TO-220F中低壓塑封NMOS管 MOS管選型 150V中低壓MOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


40N15 TO-220F中低壓塑封NMOS管 MOS管選型 150V中低壓MOS管



中低壓塑封NMOS管40N15的主要參數(shù):

  • VDS=150V

  • ID=40A

  • RDS(ON)<46mΩ@VGS=10V(Type:35mΩ)



中低壓塑封NMOS管40N15的應用領域:

  • DC/DC 轉換

  • LED 背光照明

  • 電源管理



中低壓塑封NMOS管40N15的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓150V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)40A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)28
IDM漏極電流-脈沖120
EAS單脈沖雪崩能量216mJ
IAS雪崩電流
38A
PD總耗散功率(TC=25℃)115W
RθJA
結到環(huán)境的熱阻62.5℃/W
RθJC結到管殼的熱阻1.3
TSTG存儲溫度-55~175
TJ工作結溫-55~175



中低壓塑封NMOS管40N15的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓150

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


3546
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


3750
VGS(th)
柵極開啟電壓1.222.5V
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
40
nC
Qgs柵源電荷密度

10
Qgd柵漏電荷密度
21
Ciss輸入電容
3755
pF
Coss輸出電容
207
Crss反向傳輸電容
160
td(on)開啟延遲時間
18
ns
tr開啟上升時間

20


td(off)關斷延遲時間
65
tf
開啟下降時間
15


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