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產(chǎn)品分類

Product Categories
電源用MOS管30N15 TO-263
電源用MOS管30N15 TO-263
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:30N15
產(chǎn)品封裝:TO-263
產(chǎn)品標(biāo)題:電源用MOS管30N15 TO-263 貼片N溝道MOS管 150V/30A 功率MOSFET
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


電源用MOS管30N15 TO-263 貼片N溝道MOS管 150V/30A 功率MOSFET



電源用MOS管30N15的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓150V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)30A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)21
IDM漏極電流-脈沖90
PD總耗散功率(TC=25℃)60W
RθJA
結(jié)到環(huán)境的熱阻62.5℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻2.5
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



電源用MOS管30N15的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓150175
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=10A


6378
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=8A


7290
VGS(th)
柵極開啟電壓234.5V
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
11
nC
Qgs柵源電荷密度

1.2
Qgd柵漏電荷密度
4
Ciss輸入電容
630
pF
Coss輸出電容
50
Crss反向傳輸電容
13.5
td(on)開啟延遲時(shí)間
9.8
ns
tr開啟上升時(shí)間

6


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
15
tf
開啟下降時(shí)間
4.1


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