LED背光用NMOS管24N15 TO-252 150V/24A 中低壓場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET選型大全
LED背光用NMOS管24N15的應(yīng)用領(lǐng)域：
DC/DC 轉(zhuǎn)換
LED 背光照明
電源管理
LED背光用NMOS管24N15的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 150 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 24 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 18 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 40 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 116 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 18 | A |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 72.6 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 1.72 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 62.5 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
LED背光用NMOS管24N15的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 150 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 62 | 88 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 78 | 100 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 2 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 25.1 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 6.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 12.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2285 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 110 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 83 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 13 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 8.2 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 25 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 11 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
