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產(chǎn)品分類

Product Categories
LED燈用MOS管200N10 TO-247
LED燈用MOS管200N10 TO-247
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:200N10
產(chǎn)品封裝:TO-247
產(chǎn)品標(biāo)題:LED燈用MOS管200N10 TO-247 國內(nèi)常用MOSFET N溝道MOS選型
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


LED燈用MOS管200N10 TO-247 國內(nèi)常用MOSFET N溝道MOS選型



LED燈用MOS管200N10的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • DC/DC 轉(zhuǎn)換

  • LED 背光照明

  • 電源管理



LED燈用MOS管200N10的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù) TC=25℃200A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃125
IDM漏極電流-脈沖580
EAS單脈沖雪崩能量540mJ
IAS雪崩電流53.4A
PD總耗散功率 TC=25℃148W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻0.42℃/W
RθJC
結(jié)到管殼的熱阻40
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



LED燈用MOS管200N10的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100107
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=20A


4.15
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
111.2
nC
Qgs柵源電荷密度

30.5
Qgd柵漏電荷密度
27.3
Ciss輸入電容
6865
pF
Coss輸出電容
740
Crss反向傳輸電容
21
td(on)開啟延遲時間
33
ns
tr開啟上升時間

39


td(off)關(guān)斷延遲時間
67.1
tf
開啟下降時間
32


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