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產(chǎn)品分類

Product Categories
大電流低壓MOS管120N10 PDFN5X6-8L
大電流低壓MOS管120N10 PDFN5X6-8L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):120N10
產(chǎn)品封裝:PDFN5X6-8L
產(chǎn)品標(biāo)題:大電流低壓MOS管120N10 PDFN5X6-8L 馬達(dá)用NMOS管 增強(qiáng)型MOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


大電流低壓MOS管120N10 PDFN5X6-8L 馬達(dá)用NMOS管 增強(qiáng)型MOS管



大電流低壓MOS管120N10的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 馬達(dá)控制

  • 同步整流



大電流低壓MOS管120N10的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù) TA=25℃120A
漏極電流-連續(xù) TA=100℃76
IDM漏極電流-脈沖480
EAS單脈沖雪崩能量320mJ
IAS雪崩電流40A
PD總耗散功率 TA=25℃131.6W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻25℃/W
RθJC
結(jié)到管殼的熱阻0.95
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



大電流低壓MOS管120N10的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100107
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=20A


3.84.5
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
62
S
Qg柵極電荷
111.2
nC
Qgs柵源電荷密度

30.5
Qgd柵漏電荷密度
27.3
Ciss輸入電容
6865
pF
Coss輸出電容
740
Crss反向傳輸電容
21
td(on)開啟延遲時(shí)間
33
ns
tr開啟上升時(shí)間

39


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
67.1
tf
開啟下降時(shí)間
32


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